Под третьим номером эксперты Роспатента расположили патент № 2 640 370 – «Способ ультразвукового шлифования алмазных пленок, имеющих внешний слой из поликристаллических алмазов на поверхности основания». Авторы изобретения -  Виктор Ральченко, Евгений Ашкинази, Андрей Большаков, Станислав Рыжков, Виталий Конов и Лариса Герасимова.

Предлагаемое изобретение относится к теплоэнергетике, электрохимии, микроэлектронике, точному приборостроению. Авторы предложили усовершенствованный способ механической обработки алмазов, а если более конкретно, - новый способ шлифования и планаризации высокоаспектных поликристаллических алмазных пленок.

Как рассказал Виктор Ральченко, заведующий Лабораторией алмазных материалов Отдела светоиндуцированных поверхностных явлений Центра естественно-научных исследований ИОФ РАН (СПЯ ЦЕНИ), «преимущество предлагаемого метода – его высокая производительность, планарное качество алмазной поверхности при сохранении целостности хрупких тонких алмазных пленок, простота в реализации, отсутствие необходимости в сложном наборе реагентов. Как известно, традиционный процесс механического шлифования и полировки алмазов, особенно поликристаллических алмазов, крайне медленный в виду необычайно твердости материала. Наш метод позволяет во много раз увеличить скорость шлифования алмаза, как было продемонстрировано при обработке поликристаллических алмазных пленок, выращенных в СВЧ плазме».

Это изобретение может быть использовано при изготовлении конструкционных, в том числе теплоотводящих, оптических и электронных элементов, например, при планаризации, уменьшении неплоскостности и шероховатости на теплоотводах, элементах электрохимии, микроэлектроники и т.д.

Еще один патент, включенный в список ста лучших в 2018-м, выдан ученым из ИОФ РАН –Евгению Ашкинази, Виктору Ральченко, Андрею Большакову, Вадиму Седову и Виталию Конову -  за создание СВЧ плазменного реактора с высокой однородностью температурного поля на поверхности подложек с низкой аспектной геометрией формы для получения однородной нанокристаллической алмазной пленки. Именно проблема обеспечения однородности температурного поля по всей поверхности подложки до последнего времени оставалась камнем преткновения в подобных реакторах. Существующие на сегодня технические решения были либо неполными, либо технически трудно реализуемыми.«Предлагаемое нашими учеными решение позволяет достаточно простым способом с низкой себестоимостью реализовать метод группового роста и получать в СВЧ плазменном реакторе качественные однородные пленки на низкоаспектных подложках различной формы, - говорит один из авторов изобретения, Евгений Ашкинази, старший научный сотрудник Лаборатории алмазных материалов Отдела СПЯ ЦЕНИ. - Изобретение относится к СВЧ реакторам для плазмохимического синтеза алмазных покрытий и пластин из газовой фазы, использующих объёмно-резонаторный метод передачи СВЧ энергии в область над подложкой с ограничением формы плазменного образования полусферой».

Ежегодный список «100 лучших изобретений» - совместный проект Роспатента и Федерального института промышленной собственности (ФИПС), стартовавший в 2007 году. Процедура отбора победителей двухэтапная. В течение года эксперты отраслевых отделов ФИПС отбирают наиболее перспективные заявки и составляют специальную базу данных «Перспективные изобретения». А затем комиссия, состоящая из заведующих отраслевыми экспертными отделами и возглавляемая директором ФИПС, отбирает 100 лучших изобретений и рекомендует этот список к обнародованию.